srijeda, 5. siječnja 2011.

Samsung razvija Power-sipping DDR4 memorije

Zanimljive vijesti prikaza u http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/DlXOLCXXiqM/story01.htm:
Alex piše ovaj izvadak iz TechSpot: "Samsung Electronics je objavio da je završio razvoj industrije prvi DDR4 DRAM modul prošlog mjeseca, koristeći 30nm proces klasa tehnologiju, te pod uvjetom 1,2 2GB DDR4 unbuffered dual in-line memorijske module (UDIMM) na kontroler za kavu za testiranje. nove DDR4 DRAM modul može ostvariti prijenos podataka stope 2.133Gbps na 1,2, u odnosu na 1.35V i 1.5V DDR3 DRAM na ekvivalent 30nm-klasa proces tehnologije, s brzinama do 1.6Gbps. U prijenosno računalo, DDR4 modulu smanjuje potrošnju energije za 40 posto u odnosu na 1.5V DDR3 modula. modul za nuždu iskoristiti od Pseudo Open Drain (POD) tehnologiji, koja omogućuje DDR4 DRAM pojesti samo pola struja DDR3 prilikom čitanja i pisanja podaci. "

Pročitajte više ove priče na Slashdot.




Nema komentara:

Objavi komentar