schliz piše "Istraživači su napravili napredak u razvoju spintronic RAM-a za uspješno prebacivanje spin informacije iz elektron za više robustan atomske jezgre i pristup informacijama 2.000 puta u 100 sekundi prije nego što je zapušteni (sažetak). demonstracije provedeno je korištenjem fosfor-dopiranim silicija u visoko magnetizirana, na niskim temperaturama okoline (8,59 Tesla, -269,5 stupnjeva Celzija). Drugi istraživači su postigli spin života i 30 sati u slabije magnetsko polje (0,3 Tesla). "
Pročitajte više ove priče na Slashdot.
Nema komentara:
Objavi komentar